[发明专利]一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法有效
| 申请号： | 202010602379.9 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111799364B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;孙嘉良;游天桂;林家杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L41/253 | 分类号： | H01L41/253;H01L41/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，包括以下步骤：获取晶圆，所述晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；对所述晶圆进行还原性离子注入处理，获得注入还原性离子的晶圆；将所述注入还原性离子的晶圆进行退火处理。该方法基于离子注入进行晶圆黑化，能够在不影响材料压电性能的情况下，获得高质量黑化晶圆。该方法利用离子注入技术，将Fe2+等还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆，Fe2+等的注入会占据晶格中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使晶圆内的载流子浓度提升，进而提高晶圆的电导率，降低电阻率，随后对晶圆进行退火修复，能够有效降低晶体的热释电效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 注入 铌酸锂 钽酸锂晶圆黑化 方法 | ||
【主权项】：
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