[发明专利]一种多晶硅压阻系数测试结构与方法在审
| 申请号： | 202010602865.0 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111965426A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;洛伦佐·贝尔蒂尼;莱昂纳多·萨尔代利;关健 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子（辽宁）有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;B81B7/02 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 113000 辽宁省抚顺*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻，薄膜，衬底，腔体；其中：多晶硅电阻位于薄膜上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜上，通过薄膜的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻的电阻值；衬底为硅晶圆是测试结构的基底件。一种多晶硅压阻系数测试结构的测试方法，通过对测试结构时间外部应力或者改变温度,使得薄膜受力发生变化，多晶硅电阻阻值发生变化，通过单一电阻阻值变化可以计算出电阻所对应的压阻系数分量。本发明的优点：本发明所述的多晶硅压阻系数测试结构与方法，在MEMS传感器领域中，实现了精准有效的测试多晶硅的压阻系数，解决了传统方案的不足，提升了精度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅压阻 系数 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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