[发明专利]一种双栅结构的二维半导体光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开一种双栅结构的二维半导体光电探测器及其制备方法。所述的探测器结构自下而上包括：衬底电极层、衬底介电层、透明二维介电层、二维半导体层、透明二维介电层、透明二维导体层；所述二维介电层上设置有第一金属电极层和第二金属电极层，其中第一金属电极层分布在所述二维半导体层的两侧作为源极和漏极，第二金属电极层与透明二维导体层接触；所述透明二维介电层和透明二维导体层覆盖住二维半导体层；所述的衬底电极层为P型硅衬底；当衬底电极层和所述的第二金属电极层极性相反时，所述二维半导体层将在垂直方向形成一个均匀的PN结。本发明提供的探测器制备简单，具有低暗电流、大光电流、高探测度和线性光响应的特点。