[发明专利]蚀刻处理方法、半导体装置制法、产品制法及蚀刻处理装置在审
| 申请号： | 202010607561.3 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN112151387A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 高桥勋 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L21/465 | 分类号： | H01L21/465;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及蚀刻处理方法、半导体装置制法、产品制法及蚀刻处理装置。本发明提供了一种能够在工业上有利地对蚀刻对象物进行蚀刻处理的蚀刻处理方法以及蚀刻处理装置。本发明涉及一种对蚀刻对象物(例如α‑Ga |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 处理 方法 半导体 装置 制法 产品 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
