[发明专利]一种BCD半导体器件有效
| 申请号： | 202010607698.9 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111682024B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 乔明;吕怡蕾;梁龙飞;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/10;H01L21/8249;H01L21/762 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种BCD半导体器件，包括集成于同一芯片上的高压Split Gate MOS器件、高压NLDMOS器件、高压PLDMOS器件、N‑JFET器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、NPN器件、LPNP器件、TVS器件、Diode器件和Zener器件，所有器件均采用深槽隔离。本发明在衬底上实现Split Gate MOS、NLDMOS、PLDMOS、N‑JFET器件、NMOS器件、PMOS器件、NPN器件、LPNP器件、TVS器件、Diode器件和Zener器件的单片集成，由埋层和介质槽组成的隔离区域实现集成芯片上各个器件之间的隔离，避免了电压的串扰问题，并且由于Split Gate MOS器件功率密度高，可有效减小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bcd 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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