[发明专利]一种数码电池隔膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010609605.6 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111769243B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 程跃;黄佳苑;顾挺;何方波;刘倩倩 申请(专利权)人: 珠海恩捷新材料科技有限公司
主分类号: H01M50/403 分类号: H01M50/403;H01M50/449;H01M50/414;H01M10/0525
代理公司: 上海远同律师事务所 31307 代理人: 张坚
地址: 519000 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种数码电池隔膜及其制备方法,该数码电池隔膜包括基膜和涂覆在基膜至少一个表面的聚合物涂层,所述隔膜的厚度为3~10μm,离子电导率为0.70~4.70mS·cm‑1。通过创新工艺得到的一种更薄的、更安全、电阻更小、孔隙率和透气性更好的、耐热性能更好的电池隔膜。用于解决现有超薄隔膜存在的不安全、电阻大、孔隙率低、透气差、以及耐热性能差等问题。
搜索关键词: 一种 数码 电池 隔膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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