[发明专利]转移管的垂直栅及CMOS传感器的形成方法

摘要

本发明提供了一种转移管的垂直栅的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成沟槽；在所述沟槽内和所述衬底上形成至少两层隔离层和至少两层栅极，所述隔离层和所述栅极间隔形成，第一层隔离层覆盖所述沟槽的底部、所述沟槽的侧壁以及部分所述衬底的表面，最后一层栅极覆盖相邻的隔离层和填充所述沟槽，多层所述栅极连通，多层所述栅极和多层所述隔离层组成转移管的垂直栅；形成每层栅极的过程中均包括进行掺杂离子的注入。可以使得转移管的垂直栅内的掺杂离子的浓度更加均匀，防止在向垂直栅施加电压后，导致低浓度掺杂离子区域的掺杂离子耗尽使转移管的速度降低的问题产生，从而提高CMOS传感器的性能。