[发明专利]MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法在审
| 申请号： | 202010611393.5 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111783296A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/17 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，包括：设定全局工艺角模型的参数公式如下： |
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| 搜索关键词： | mosfet 器件 全局 工艺 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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