[发明专利]一种高温原位紫外探测系统在审
| 申请号： | 202010611852.X | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111725196A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 汪炼成;彭程;黄强 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/16;H01L31/0304;G01J1/42;G01J1/44 |
| 代理公司： | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人： | 周咏;林毓俊 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明这种高温原位紫外探测系统，包括有散热模块和原位日盲紫外探测器；散热模块会组成一个腔体，原位日盲紫外探测器包括有SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、多块DBC板、集电极、发射极、栅极以及相对应的端子；其中SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片安装于散热模块的腔体内部，SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片通过焊接的方式固定于DBC板上，DBC板与散热模块的焊料层连接；紫外探测器芯片位于腔体外部，紫外探测器芯片通过焊接的方式固定于DBC板上，DBC板固定散热模块的顶部；SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、DBC板、集电极、发射极子、栅极之间通过电路进行互连。本发明采用AlGaN基紫外探测器芯片最高使用温度可达到300℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 原位 紫外 探测 系统 | ||
【主权项】：
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