[发明专利]串并联磁路分置磁极型记忆电机有效
| 申请号： | 202010611950.3 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111769667B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 阳辉;葛永盛;林鹤云 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H02K1/276 | 分类号： | H02K1/276;H02K1/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种串并联磁路分置磁极型记忆电机，包括定子、电枢绕组、混合永磁转子和转轴，电枢绕组设置在定子上，混合永磁转子设置在定子内侧，转轴设置在混合永磁转子内侧，所述混合永磁转子包括转子铁心、并联磁路型N极磁极、串联磁路型S极磁极、以及三角形磁障，所述三角形磁障位于各磁极中心，N极磁极由第一低矫顽力永磁体和第一高矫顽力永磁体组成，两者呈并联磁路设置；所述S极磁极由第二低矫顽力永磁体和第二高矫顽力永磁体组成，两者呈串联磁路设置，第二低矫顽力永磁体紧靠着第二高矫顽力永磁体，且第二高矫顽力永磁靠转轴放置。本发明可以提升转子空间利用率，进一步拓宽电机调磁范围，同时保证永磁工作点稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 串并联 磁路 磁极 记忆 电机 | ||
【主权项】：
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