[发明专利]第一层金属与其下层栅极物理短接缺陷的检测方法及结构在审
| 申请号： | 202010611967.9 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113871311A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 雷淑华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及第一层金属与其下层栅极物理短接缺陷的检测方法，涉及缺陷检测技术，在晶圆的检测区域或者切割道区域设置并列设置的第一检测结构和第二检测结构，每一检测结构包括P型有源区、位于P型有源区上的检测栅极结构和接触孔、位于检测栅极结构的两端部的栅极接触孔、连接位于P型有源区上的接触孔的金属线以及连接栅极接触孔的金属线，并第一检测结构的检测栅极结构与位于其上的金属线至少部分重叠，第二检测结构的检测栅极结构与位于其上的金属线无重叠区域，可检测并锁定晶圆上第一层金属与下层栅极之间因物理接触而短接的缺陷，缩短缺陷发现的时间，第一检测结构和第二检测结构在半导体器件的形成过程中同步形成，工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一层 金属 与其 下层 栅极 物理 缺陷 检测 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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