[发明专利]应用于刻蚀设备内的聚焦环、其形成方法及刻蚀设备在审
| 申请号： | 202010611986.1 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111653469A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 孙磊;许任辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及刻蚀设备内的聚焦环，涉及半导体集成电路制造技术，采用具有不同导热系数的第一子聚焦环与第二子聚焦环及将其连接的连接件形成聚焦环，可根据期望的导热系数选择第一子聚焦环、第二子聚焦环和连接件的材质，而使形成的聚焦环具有期望的导热系数，而利于控制晶圆边缘的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 刻蚀 设备 聚焦 形成 方法 | ||
【主权项】：
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