[发明专利]一种套刻标记及对准误差的测量方法在审
| 申请号： | 202010614218.1 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN112542396A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈鲁;吕肃;李青格乐;江博闻;张嵩 | 申请（专利权）人： | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵晓荣 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种套刻标记及对准误差的测量方法。套刻标记位于基底中，包括第一标识和第二标识；第一标识和第二标识分别位于基底不同的层，和/或，第一标识和第二标识在不同工艺过程中形成。第一标识和第二标识均包含特征结构，特征结构具有特征点。第一标识与第二标识的投影平面为基底的表面，在特征点处沿任一方向，特征结构具有不连续性。第一标识的特征点的信息和第二标识的特征点的信息用于进行对准误差测量。由于特征点不易受到光照不均匀性的影响以及旋转、平移和膨胀等操作的影响，因此以第一标识的特征点的信息和第二标识的特征点的信息进行对准误差测量，测量结果的稳定性较强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标记 对准 误差 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳中科飞测科技股份有限公司，未经深圳中科飞测科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010614218.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种吸油烟机
- 下一篇：机器人导航方法、机器人、终端设备及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
