[发明专利]GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法在审
| 申请号： | 202010615164.0 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111640788A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王军明;盛锋;李晖 | 申请（专利权）人： | 上海瞬雷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法，包括：N++层4、P+层5和P++层6；所述P++层6的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽1；所述P+层5设置于所述P++层6的上侧，所述N++层4设置于所述P+层5的上侧；所述N++层4的侧面、所述P+层5的侧面以及所述腐蚀沟槽1内设置有钝化玻璃2。采用P+衬底，由于P+衬底均一性更佳，产品VB更加均匀，符合瞬间电压抑制二极管特性。采用倒梯形沟槽形状，避免了光刻胶掩膜的鸟嘴形状，提高电泳玻璃的均一性，减少尖端放电的风险。 | ||
| 搜索关键词： | gpp 单向 瞬间 电压 抑制 二极管 芯片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
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