[发明专利]存储器、集成电路存储器及制造存储器的方法

摘要

本发明公开了一种存储器、集成电路存储器及制造存储器的方法，该存储器为基于2T垂直铁电存储单元的装置，包括在第一层中的多个选择栅极线和在第二层中的多个字线，其中具有与这些选择栅极线和这些字线可操作设置的多个垂直通道结构。这些垂直通道结构中存储单元的一垂直通道结构系正交设置相对于对应的选择栅极线和对应的字线，并且形成用于垂直选择晶体管和垂直铁电存储晶体管的通道。铁电材料系设置在垂直通道结构和对应的字线之间的交叉点处。栅极介电质材料系设置在垂直通道结构和对应的选择栅极线之间的交叉点处。NOR架构存储器系使用2T垂直铁电存储单元。