[发明专利]一种GaN基高空穴迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010615488.4 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111900203B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 王登贵;周建军;孔岑;张凯;戚永乐 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/51;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基高空穴迁移率晶体管及其制备方法，其结构包含衬底、缓冲层、势垒层、沟道层、插入层、p‑GaN层、源极、漏极、栅极以及钝化介质层。本发明通过引入含Al组分插入层，一方面可提升p‑GaN层与沟道层间的刻蚀选择比，增加刻蚀工艺的可控性与均匀性；另一方面，可降低高温工艺过程中p‑GaN层Mg原子扩散对沟道层的影响；另外，原位外延生长的插入层可充当栅绝缘介质层，形成良好的MIS界面，减小栅极泄漏电流，提升器件栅极击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 空穴 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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