[发明专利]一种集成新型刻蚀工艺JBS的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010616521.5 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111900208A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;白志强;何艳静;袁昊;宋庆文;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成新型刻蚀工艺JBS的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：N+衬底层、N‑外延层、第一P+注入区、第二P+注入区、栅介质层、栅电极、第一P‑阱区、第二P‑阱区、第一N+注入区、第二N+注入区、第一金属、第二金属和漏电极，第一P+注入区和第二P+注入区之间的N‑外延层形成间隔区，第一金属与第一P+注入区、第二P+注入区的接触界面形成欧姆接触，第二金属与间隔区的上表面形成肖特基接触。通过肖特基接触，提升了器件续流能力，降低器件制备成本。同时在反向阻断情况下提高了耐压能力，减小了反向漏电，提高器件的抗雪崩能力，有助于增加第一P+注入区和第二P+注入区的深度，可以有效防止槽栅拐角处强电场引发的可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 新型 刻蚀 工艺 jbs 碳化硅 umosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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