[发明专利]图案化的方法在审
| 申请号： | 202010618215.5 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113889400A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 谢竺君;吴庭玮;倪志荣 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;H01L21/306;H01L21/3065;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种图案化的方法，包括以下步骤：在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层。图案化未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案。以多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分核心层并形成核心图案。进行第二刻蚀工艺，以移除多晶硅图案。进行原子层沉积工艺，以于核心图案与经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料。移除部分间隙壁材料，以于核心图案的侧壁上形成间隙壁。移除部分核心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
