[发明专利]等离子体处理装置及其边缘气体组件在审
| 申请号： | 202010618286.5 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113871280A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 杨金全;黄允文;魏强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置及其边缘气体组件，其中，等离子体处理装置包括：真空反应腔，其包括顶盖，所述顶盖具有贯穿顶盖的开口，真空反应腔内底部具有基座，所述基座用于承载待处理基片；安装基板，位于所述开口内；气体喷淋头，位于所述安装基板的下方，所述气体喷淋头与基座相对设置；边缘气体组件，环绕于所述气体喷淋头的外围，包括至少两个互相隔离的边缘气体调节区，每个所述边缘气体调节区设置进气通道和出气通道，所述出气通道朝向待处理基片的边缘区域；气体源，用于向所述边缘气体调节区输送气体，且各个边缘气体调节区的气体输送情况均独立可控。所述等离子体处理装置能调节待处理基片边缘区域等离子体的浓度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 及其 边缘 气体 组件 | ||
【主权项】：
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