[发明专利]掩埋型半导体光学装置有效
| 申请号： | 202010618502.6 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN112436376B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 早川茂则;坂本裕则;山内俊也;中开义博 | 申请（专利权）人： | 朗美通日本株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/12;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 许睿峤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种掩埋型半导体光学装置，包括：半导体基板；台面条带部分，包括在半导体基板上的多量子阱层；掩埋层，由第一部分和第二部分组成，第一部分覆盖台面条带部分的一侧，第二部分覆盖所述台面条带部分的另一侧，并且第一部分和第二部分覆盖半导体基板的表面；和电极，其被配置为使电流流过台面条带部分，所述掩埋层从半导体基板的表面开始包括第一子层、第二子层和第三子层，第一子层、第二子层和第三子层均由半绝缘InP组成，第一子层和第二子层形成成对结构，第二子层从半导体基板的表面位于多量子阱层的上方，并且第二子层由选自InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP和InAlAsP的一层或多层组成。 | ||
| 搜索关键词： | 掩埋 半导体 光学 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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