[发明专利]用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法在审
| 申请号： | 202010619121.X | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111847374A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李君儒;彭春瑞;高杨;陈锶;任万春 | 申请（专利权）人： | 四川爆米微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;H04B1/04 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 冯瑛琪 |
| 地址： | 621010 四川省绵阳市涪城区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法，涉及射频微电子机械系统领域和天线领域。该信号发射元包括：MEMS谐振器和辐射层，辐射层包括磁致伸缩薄膜或驻极体薄膜，辐射层设置在MEMS谐振器的谐振区的一侧，与谐振区紧密耦合，谐振区的另一侧通过锚点固定在衬底上，MEMS谐振器的谐振区的谐振频率工作在甚低频波段，用于使磁致伸缩薄膜发生磁化振荡，或使驻极体薄膜发生电荷振荡，生成甚低频信号。本发明可以通过MEMS工艺直接实现谐振器与辐射层的集成，无需另外的安装工艺，大大简化了工艺流程，解决了现有专利方案中VLF发射元结构单一、稳定性差和工艺实现难的问题，具有可批量制造、一致性好、尺寸小、后期易实现阵列化等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生成 甚低频 信号 发射 制作方法 | ||
【主权项】：
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