[发明专利]一种Bi取代的Mn缺位Mn2有效

专利信息
申请号: 202010619523.X 申请日: 2020-07-01
公开(公告)号: CN111575532B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 马胜灿;张智硕;罗小华;张玉希;曾海;余广 申请(专利权)人: 江西理工大学
主分类号: C22C12/00 分类号: C22C12/00;C22C1/02;C22F1/16;C22F1/02;H01F1/03
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 代理人: 崔瑞迎
地址: 341000 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明涉及磁性相变材料技术领域,本发明公开了一种Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金及其制备方法和应用,Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金的化学式为:Mn2‑ySb1‑xBix,其中y为Mn原子的缺位量,x表示Bi对Sb的取代量,0y1,0x≤0.4;本发明先通过过渡元素缺位来调控并实现一级磁相变,再通过掺杂或元素取代的方法制备得到了Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金,在合金中调控实现一级磁弹性相变并获得丰富的磁功能性质,Bi取代的Mn缺位Mn2Sb基合金能够广泛应用于磁制冷、磁存储、磁传感、能量捕获和能量交换等多个领域,且制备方法简单方便、能源消耗少,制备成本低,适合工业化生产。
搜索关键词: 一种 bi 取代 mn 缺位 base sub
【主权项】:
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