[发明专利]利用硅连接层形成片上网络的FPGA装置有效
| 申请号： | 202010620258.7 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111755437B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 范继聪;徐彦峰;单悦尔;闫华;张艳飞 | 申请（专利权）人： | 无锡中微亿芯有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L25/00;H01L23/535;H01L23/538;G06F30/34 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳;聂启新 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种利用硅连接层形成片上网络的FPGA装置，涉及FPGA技术领域，该FPGA装置内部设计有源的硅连接层，硅连接层内部布设硅连接层互连框架，FPGA裸片内部的各个裸片功能模块接入硅连接层互连框架与其共同形成片上网络，裸片功能模块与硅连接层互连框架中的网络接口和路由器形成为一个NOC节点，NOC节点互相连通，从而可以令未内建NOC网络的FPGA裸片中的裸片功能模块之间借由硅连接层互连框架实现高效互连通信，在提高FPGA装置内部的数据传输带宽和性能的基础上降低加工难度。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 连接 形成 网络 fpga 装置 | ||
【主权项】：
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