[发明专利]一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉有效
| 申请号： | 202010621637.8 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111893561B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 魏星;李名浩;栗展;魏涛;刘赟;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/16 | 分类号： | C30B15/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构，包括支撑层以及制备在所述支撑层上的层叠结构，所述层叠结构包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替设置；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述复合隔热结构设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供的复合隔热结构在热辐射波长范围表现出具有良好的热反射性能，当其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热量的反射能力，减少硅熔体热量的耗散，起到对热场的保温作用，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 单晶硅 生长 复合 隔热 结构 | ||
【主权项】：
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