[发明专利]一种三维沟槽型铁电存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010622397.3 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111799264B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 曾斌建;周益春;廖敏 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507;H01L27/11509;H01L27/11514;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种三维沟槽型铁电存储器及其制备方法，包括基底(1)和设置在基底(1)上的导电层(2)；导电层(2)上设置的层叠结构包括多层水平且交叠排布的隔离层(3)和控制栅电极(4)；多个沟槽型存储单元串(5)竖直贯穿层叠结构，其包括：竖直贯穿层叠结构且槽底嵌入导电层(2)中的沟槽孔(11)；沟槽孔(11)的侧壁和槽底依次铺设有缓冲层(6)、铁电薄膜层(7)、沟道层(8)和填充层(9)；控制栅电极(4)、缓冲层(6)、铁电薄膜层(7)、沟道层(8)组成多个相互串联的铁电场效应晶体管。本发明的铁电存储器能获得更为紧凑的布线，有利于实现更高密度集成；制备时依次沉积所需材料即可，无需刻蚀，保证铁电存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 沟槽 型铁电 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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