[发明专利]集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法在审
申请号: | 202010622833.7 | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN112185962A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | K·K·穆图克里希南;A·J·斯赫林斯凯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括多个水平排列成二维2D网格的特征。所述2D网格包括具有四个网格点并且在成对的所述四个网格点之间具有四个直线侧边的平行四边形单位单元。所述平行四边形单位单元具有横跨在所述四个网格点中的两个对角线上对置的网格点之间的直线对角线。所述直线对角线比所述四个直线侧边中的每一个都要长。所述各个特征处于所述四个网格点中的一个处并且沿着相对于所述四个直线侧边中的每一个水平地成角度的方向占据水平拉长的最大水平区域。还公开其它实施例,包含方法实施例。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 电容器 阵列 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的