[发明专利]高电子迁移率晶体管及高压半导体装置在审
| 申请号： | 202010623811.2 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113871476A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉庆;陈志谚;吴俊仪;萧智仁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/08 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 刘莉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管，包括基底、三五族沟道层、三五族阻挡层、三五族盖层、源极电极、第一漏极电极、第二漏极电极、以及连接部。其中，三五族沟道层、三五族阻挡层、及三五族盖层依序设置于基底上。源极电极设置于三五族盖层的一侧，第一漏极电极及第二漏极电极设置于三五族盖层的另一侧。第一漏极电极的底面分离于第二漏极电极的底面，且第一漏极电极的组成不同于第二漏极电极的组成。连接部电连接至第一漏极电极以及第二漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 高压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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