[发明专利]一种选择性发射极的制备方法和太阳能电池

摘要

本申请提供了一种选择性发射极的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在硅基底的表面形成掺杂层；在掺杂层的表面形成掩膜；选择性地去除部分掩膜，以暴露出部分掺杂层，形成非掩膜保护区域和掩膜保护区域；对包括掩膜的掺杂层进行高温氧化处理，以使非掩膜保护区域的部分掺杂元素析出至氧化层，以在掺杂层中形成掺杂浓度不同的掺杂区域；去除硅基底表面的掩膜和氧化层，得到选择性发射极。采用氧化分凝的方式实现选择性发射极结构中高方阻区域的轻掺杂，可以有效去除表面的富掺杂层(富硼层或富磷层)，降低未激活掺杂原子造成的复合损失，进一步提升太阳电池的开路电压和转换效率。