[发明专利]一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法有效

专利信息
申请号: 202010630260.2 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN111702565B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 孔伟;任仕晶;鲜聪;廖杨;陈建杰;袁红兰;冯涛;王谦 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第九研究所
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B57/02;H01P11/00
代理公司: 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 代理人: 黎仲
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法,属于微波技术领域,包括以下步骤:(A)配置直径为的板状结晶氧化铝抛光液;(B)将步骤(A)得到的氧化铝抛光液配合压缩纤维抛光垫对待抛光铁氧体基片进行第一轮抛光,得到半成品;(C)配置球状结晶氧化铝抛光液;(D)用步骤(C)得到的氧化铝抛光液配合阻尼布抛光垫对步骤(B)得到的半成品进行第二轮抛光,得到表面粗糙度为10nm~20nm的产品;本发明所得的大尺寸铁氧体基片可以提高光刻的加工效率,达到一次加工多片成品,其生产效率提高了数倍;本加工方法能满足铁氧体基片对表面平面度和光洁度的要求,同时能够大幅缩短抛光时间,减少在加工过程中的不稳定因素导致的产品破损。
搜索关键词: 一种 尺寸 铁氧体 及其 抛光 方法
【主权项】:
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