[发明专利]Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202010630517.4 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111813591A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朱晓锐;邓玉良;殷中云;唐越;陈佩纯;苏通 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/07 | 分类号： | G06F11/07;G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 王海滨 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Nand Flash的数据纠错方法，包括：当接收到编程指令时，将预设的数据保持时间及获取的Nand Flash冗余区的编辑次数输入预设的Nand Flash误码率模型，得到评估的误码率；根据评估的误码率选取预设的纠错编码方案列表中的目标纠错编码方案；利用目标纠错编码方案对待写入的数据进行纠错编码，得到正确的编码数据；将编码数据储存至Nand Flash数据区，及将目标纠错编码方案储存至Nand Flash冗余区。通过实施本方案，可提高评估误码率的准确度，根据误码率选择不同的目标纠错编码方案进行纠错编码，降低资源占用和功耗，提高Nand Flash处理器在不同误码率下的纠错编码效率。 | ||
| 搜索关键词： | nand flash 数据 纠错 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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