[发明专利]铜铝互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 202010630546.0 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111725133B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 卢光远;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种铜铝互连结构的制作方法，涉及半导体制造领域。该铜铝互连结构的制作方法包括形成铜金属层连线，在铜金属层连线的表面依次形成DNC和介质层，在介质层表面形成氮化钛层，在氮化钛层的上方形成通孔图案和深槽图案，刻蚀通孔图案和深槽图案对应的衬底，形成通孔和底部低于铜金属层连线表面的深槽，填充通孔，去除衬底表面的填充材料和氮化钛层，沉积形成铝金属层，铝金属层中形成有对位标记；解决了目前铜铝互连结构中铝金属层的对位标记不清晰的问题；达到了有效地在铜铝互连结构中的铝层中形成明显的对位标记，避免光刻时对位失败的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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