[发明专利]晶圆的位置检测方法、装置、设备、系统和存储介质有效
申请号: | 202010630551.1 | 申请日: | 2020-07-03 |
公开(公告)号: | CN111916365B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华;朱至渊 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 黎伟 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种晶圆的位置检测方法、装置、设备、系统和存储介质,该方法包括:获取位置信号,该位置信号是PSD传感器组件测量目标晶圆在载片台上的位置得到的信号;根据位置信号计算偏移距离;当偏移距离超过距离阈值时,根据偏移距离对目标晶圆的初始位置进行补偿。本申请通过PSD传感器组件测量目标晶圆在载片台上的位置得到位置信号,位置检测设备于获取位置信号后,根据位置信号计算偏移距离,当偏移距离超过距离阈值时,根据偏移距离对目标晶圆的初始位置进行补偿,从而避免了目标晶圆的偏移距离超过距离阈值时,光刻设备对该晶圆报错造成的返工现象,提高了晶圆制造的效率。 | ||
搜索关键词: | 位置 检测 方法 装置 设备 系统 存储 介质 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造