[发明专利]一种耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010630640.6 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111748113A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 金文斌 | 申请（专利权）人： | 浙江中科玖源新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L79/08;C08K9/06;C08K7/26;C08G73/10 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 刘勇 |
| 地址： | 321100 浙江省金华*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，其原料包括：二胺单体、二酐单体、2,4,6‑三氨基嘧啶、八(氨基苯基三氧硅烷)和改性纳米空心二氧化硅，其中，改性二氧化硅的含量为3.5‑4.5wt％。本发明还公开了上述耐热低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明在具有较低介电常数的同时，还具有较好的耐热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐热 介电常数 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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