[发明专利]电子设备及其制造方法在审
| 申请号： | 202010631382.3 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112992966A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 金晃衍 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体存储器包括：衬底，其包括：其中布置有多个可变电阻元件的第一区域；在第一区域的不同侧的第二和第三区域；设置在衬底上方并跨过第一区域和第二区域延伸的多条第一线；设置在第一线上方并跨过第一区域和第三区域延伸的多条第二线。所述可变电阻元件位于所述第一线和所述第二线的交点处且在所述第一线和所述第二线之间，在第三区域中设置有接触插塞，其上端耦接至第二线，在第一区域中电阻材料层被插设于第二线与可变电阻元件之间，但是在第三区域中的接触插塞和第二线之间不存在。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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