[发明专利]高光响应TiO2

摘要

本发明涉及光电器件领域，提供了一种高光响应TiO2/MoS2异质结可见光探测器及制备方法，所述探测器基于背栅MoS2场效应晶体管，包括沟道MoS2、修饰层TiO2、介电层SiO2、源漏极Au和栅极Si，修饰层TiO2修饰在沟道MoS2表面。本发明方法采用微机械剥离法和定点转移电极法构筑背栅少层MoS2场效应晶体管，在沟道表面沉积Ti，自然氧化得到探测器。本发明可获得比较完美的Au/MoS2界面，避免破坏MoS2结构或引入杂质；Ti的强浸润性使得TiO2具有超薄特性，并增大了TiO2与MoS2间接触面积，TiO2中氧空位提升可见光响应，TiO2在MoS2中引入更多空穴陷阱，增强光诱导栅控效应。