[发明专利]3D NAND存储器的形成方法

摘要

一种3D NAND存储器的形成方法，在所述半导体衬底上形成有牺牲层和隔离层交替层叠的堆叠结构后，形成若干贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述沟道孔侧壁依次形成有电荷存储层、沟道层以及填充层，所述填充层包括位于沟道层表面的第一材料层和位于沟道孔内及堆叠结构顶部表面第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层的材料不相同；刻蚀去除所述沟道孔中部分所述填充层，形成暴露出所述沟道层部分表面的凹槽，且刻蚀时对第二材料层的刻蚀速率大于对第一材料层的刻蚀速率。本发明通过形成特定结构的填充层，通过一步刻蚀工艺刻蚀去除所述沟道孔中的部分填充层，形成暴露出所述沟道层部分表面的凹槽，简化了工艺步骤，并提高了刻蚀效率。