[发明专利]一种中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010631800.9 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111943668B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 刘杨琼;李红卫;黄振娟;汪小玲;赵杨军 | 申请（专利权）人： | 成都宏科电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人： | 陶红 |
| 地址： | 610100 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于陶瓷材料技术领域，提供了一种中温烧结的高介低损耗负温度补偿型瓷料及其制备方法。该高介低损耗负温度补偿型瓷料，其原料包括基料、改性剂和烧结助剂；基料的化学式为Sr |
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| 搜索关键词： | 一种 烧结 高介低 损耗 温度 补偿 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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