[发明专利]用于检查和制造光罩的方法以及制造半导体器件的方法在审
申请号: | 202010632541.1 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN112305852A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 金璱祺;宋弦昔;姜仁勇;李刚源;李周衡;张恩植 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F1/84;G03F1/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了用于检查和制造光罩的方法以及制造半导体器件的方法。在一个方面中,提供一种用于检查光罩的方法,该光罩包括光罩基板和在光罩基板上的反射层。该方法可以包括:将光罩装载于平台上;将光罩基板冷却至低于室温的温度;将激光束照射到在光罩基板上的反射层;使用光电检测器接收从反射层反射的激光束以获得反射层的图像;以及基于反射层的图像,检测在反射层上的颗粒缺陷或在反射层中的空隙缺陷。 | ||
搜索关键词: | 用于 检查 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备