[发明专利]光栅深刻蚀的方法在审
| 申请号： | 202010634034.1 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN111916330A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王勇禄;晋云霞;曹红超;孔钒宇;张益彬;邵建达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;G02B27/44 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光栅深刻蚀方法，该方法包括：光栅金属掩膜结构制备、反应离子束刻蚀、化学湿法腐蚀去除掩膜残留、倾斜镀制金属掩膜等过程。通过不断重复反应离子束刻蚀→残留掩膜去除→倾斜镀制金属掩膜→反应离子束刻蚀过程，可以在保持光栅占宽比的条件下逐步提升光栅的刻蚀深度，解决了氧化硅、氮化硅、氧化铪等常用光栅材料单次掩膜刻蚀选择比不高、无法实现大深宽比刻蚀的问题，为大深宽比衍射光学元件的刻蚀制备奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 深刻 方法 | ||
【主权项】：
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