[发明专利]具有气隙的半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010635594.9 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112447724A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 周良宾 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有气隙的半导体元件及其制备方法，该半导体元件包括一第一位元线与一第二位元线，均设置在一半导体基底上；以及一介电结构，设置在该第一位元线的一侧壁上。该第一位元线位于该第二位元线与该介电结构之间，而该第一位元线与该第二位元线以一气隙分隔开。一种半导体的制备方法，包括在一半导体基底上形成一第一介电结构以及一第二介电结构；以及在该第一介电结构与该第二介电结构上形成一导电材料。该导电材料延伸进入一第一开口，该第一开口位于该第一介电结构与该第二介电结构之间。该制备方法亦包括部分地移除该导电材料,以在该第一开口中形成一第一位元线与一第二位元线。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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