[发明专利]半导体装置及其检查方法在审
| 申请号： | 202010638705.1 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN112201644A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 鹰巢博昭;芹泽叶子;铃木博也;五岛澄隆 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及其检查方法。在半导体装置中，形成于半导体衬底的表面上的PCMTEG区域(100)被分为主PCMTEG区域(101)和子PCMTEG区域(102)，并且在子PCMTEG区域(102)集中配置有对电特性值有标准的所有TEG。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 检查 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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