[发明专利]热处理装置及热处理装置的洗净方法在审
| 申请号： | 202010639262.8 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN112397415A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 布施和彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够容易地清理腔室内的污染的热处理装置及热处理装置的洗净方法。随着成为产品的半导体晶圆的处理在热处理装置1中进行，污染物质附着在腔室6的内壁面上。当半导体晶圆的处理结束后，向腔室6内供给包含臭氧的气体而形成包含臭氧的氛围。一边通过来自卤素灯HL的光照射对包含臭氧的氛围进行加热，一边从闪光灯FL照射包含紫外线光的闪光。利用紫外线光分解臭氧而生成活性氧，该活性氧与污染物质发生反应，由此从腔室6的内壁面分解去除污染物质。经分解而气化的污染物质通过排出腔室6内的氛围气体而排出至腔室6外。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 洗净 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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