[发明专利]半导体封装器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010639846.5 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN112397484A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 钱威宇;曾建贤;杨敦年;郑乃文;陈保同;朱怡欣;申羽洋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/485;H01L23/48;H01L23/64;H01L25/16;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各个实施例针对一种半导体封装器件，包括配置为阻挡来自第一电子组件和第二电子组件的磁场和/或电场的屏蔽结构。第一电子组件和第二电子组件可以例如是传感器或一些其他合适的电子组件。在一些实施例中，第一IC芯片位于第二IC芯片上面。第一IC芯片包括第一衬底和位于第一衬底上面的第一互连结构。第二IC芯片包括第二衬底和位于第二衬底上面的第二互连结构。第一电子组件和第二电子组件分别位于第一互连结构和第二互连结构中。屏蔽结构直接位于第一电子组件和第二电子组件之间。此外，如果半导体封装器件垂直翻转，屏蔽结构基本覆盖第二电子组件和/或将基本覆盖第一电子组件。本发明的实施例还涉及半导体封装器件的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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