[发明专利]PDDA修饰的介孔氧化硅/阳极氧化铝膜、超组装制备方法及应用有效
| 申请号： | 202010639989.6 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111766285B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 孔彪;周姗;谢磊;曾洁;刘占杰;陈海涛 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N27/447 | 分类号： | G01N27/447;C23C18/12 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 王伟珍 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于纳流控应用领域，具体涉及一种PDDA修饰的介孔氧化硅/阳极氧化铝膜、超组装制备方法及应用，以F127和TEOS为原料制备介孔氧化硅前驱体溶液，采用旋涂的方法，在堵好孔的AAO基底上制备一层超薄的介孔氧化硅涂层；经过蒸发诱导自组装过程，得到规整排列有序的介孔氧化硅框架；煅烧除去模板剂F127和PMMA之后，得到MS/AAO膜，然后将MS/AAO膜浸渍在0.02wt％～1.0wt％的PDDA水溶液中，在MS一侧修饰上带有永久正电荷的PDDA，得到PDDA@MS/AAO复合膜。PDDA@MS/AAO复合膜具有非对称的膜结构，下层为带正电荷的由氧化铝构成的圆柱形纳米通道，上层为由规整的介孔氧化硅组成的纳米通道，为离子传输提供了丰富的通道。该复合膜具有整流性能，可以根据整流比的变化进行荷不同电荷分子的鉴定。 | ||
| 搜索关键词： | pdda 修饰 氧化 阳极 氧化铝 组装 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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