[发明专利]交变磁场探测装置及系统在审
申请号: | 202010640034.2 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN111751767A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山科立特光电科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528458 广东省中山市火炬开发区中心城区港义*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及交变磁场探测装置及系统,主要涉及磁场探测领域。本申请提供的交变磁场探测装置,当需要对磁场进行测量的时候,该磁性材料层在磁场的作用下产生热量,并将热量传递到该热膨胀材料层,热膨胀材料层在热量的作用下发生形变,进而使得该第一金属膜、第二金属膜和第三金属膜所在平面的高度差发生变化,此时,使用光线照射该第一金属膜、第二金属膜和第三金属膜,该第一金属膜、第二金属膜和第三金属膜电偶极子以及磁偶极子所耦合的角度发生改变,所测量的透射光的圆二色性发生改变,通过对该第一金属膜、第二金属膜和第三金属膜出射光的圆二色光谱的共振位置和共振峰位置的探测,得到该第一金属膜、第二金属膜和第三金属膜的高度差,并根据高度差的改变量与磁场的关系,得到该外加磁场的大小。 | ||
搜索关键词: | 磁场 探测 装置 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山科立特光电科技有限公司,未经中山科立特光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010640034.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。