[发明专利]沟槽金属氧化物半导体势垒肖特基二极管器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010640727.1 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113903662A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 冒义祥;严晓芬;周俊芳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02;H01L21/324;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽金属氧化物半导体势垒肖特基二极管器件的制造方法，所述方法包括：提供晶圆衬底；在所述晶圆衬底上形成外延层；在所述外延层中形成多个间隔的沟槽式多晶结构；在所述外延层上形成表面膜层；执行离子溅射以在所述表面膜层上形成金属膜层；其中，对所述外延层执行第一处理，以增大所述外延层对所述晶圆衬底的压应力，和/或，对所述表面膜层执行第二处理，以增大所述表面膜层的致密度。根据本发明提供的方法，通过增大所述外延层对所述晶圆衬底的压应力，和/或增大所述表面膜层的致密度，以抵消后续溅射形成金属膜层产生的张应力和/或增强晶圆的抗受力应变能力，避免晶圆发生翘曲变形，改善晶圆的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 金属 氧化物 半导体 势垒肖特基 二极管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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