[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010641668.X | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113903809A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：衬底；鳍部，位于衬底上，鳍部包括第一区，第一区的鳍部包括：栅极槽和位于相邻栅极槽之间的沟道层；栅极结构，位于衬底上且横跨鳍部，覆盖第一区的鳍部侧壁和顶部，填充满栅极槽且包围沟道层，位于栅极槽内的栅极结构的宽度小于位于所述第一区的鳍部顶部的栅极结构的宽度。一方面，由于位于栅极槽内的栅极结构的宽度小，即控制沟道的栅极结构的宽度小，那么对应的特征尺寸小，特征尺寸越小，半导体器件的集成度越高，性能越好，功耗越低；另外一方面，由于位于第一区的鳍部顶部的栅极结构的宽度大，这样栅极结构在形成的过程中填充的难度降低，使得最终形成的栅极结构质量得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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