[发明专利]一种开窗孔双面电镀厚铜膜工艺有效
| 申请号： | 202010641706.1 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111710647B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/683;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种开窗孔双面电镀厚铜膜工艺，属于晶圆加工领域，S1：在晶圆背面依次镀上附着层、阻挡层和铜种子层；S2：键合玻璃载板；S3：研磨及蚀刻晶圆背面；S4：进行制程；S5：镀上Ti/Ni/Cu；S6：打开窗口；S7：在晶圆正面进行黄光工序；S8：在晶圆背面进行黄光工序；S9：双面电镀厚膜后去除光阻层；S10：用蚀刻将双面的Ti/Ni/Cu去除掉；S11：用SF6电浆蚀刻硅切割道，停止在黏着剂层；S12：进行沉积薄膜操作；S13：刻蚀氧化硅或氮化硅形成侧壁；S14：清洗蚀刻；S15：晶圆附着在蓝膜框架上；S16：将玻璃载板从晶圆上移除；S17：清洗晶圆上的粘合剂层；使晶圆键合玻璃载板并形成超薄晶圆，并在晶圆正面接触点处形成玻璃载板窗口，解决厚膜铜与封装材之间的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开窗 双面 电镀 厚铜膜 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
