[发明专利]垂直的霍尔传感器结构在审
| 申请号： | 202010644009.1 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN112186095A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | M-C·韦基;R·埃尔韦;M·科尼尔斯;K·胡 | 申请（专利权）人： | TDK-迈克纳斯有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直的霍尔传感器结构，其具有衬底层、第一导电类型的半导体区域、分别从半导体区域的上侧延伸到半导体区域中的至少一个第一导电类型的第一、第二和第三半导体接通区域、至少一个第二导电类型的半导体接通区域，其中，第一导电类型的半导体接通区域彼此间隔开，并且在每个第一导电类型的半导体接通区域上布置有金属连接接通层，第二导电类型的第一半导体接通区域与第一导电类型的第一半导体接通区域邻接，或与第一导电类型的第一半导体接通区域具有最高0.2μm的间隔，第一导电类型的第一半导体接通区域与第二导电类型的第一半导体接通区域导电地连接。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 霍尔 传感器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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