[发明专利]补偿初级FD-SOI装置的方法以及自优化电路在审
| 申请号： | 202010644996.5 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN112198920A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 阿尔菲奥·赞基;杰弗里·马哈瑞;曼纽尔·F·卡巴纳斯-霍尔门;罗杰·布里斯 | 申请（专利权）人： | 波音公司 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565;G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘瑞贤 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了补偿初级FD‑SOI装置的方法以及自优化电路。用于FD‑SOI装置的自优化电路包括静态偏置电路、剂量计、参考电路、放大器、电压源和反馈电路。静态偏置电路提供第一偏置。剂量计包括剂量计FD‑SOI装置，并生成对初级FD‑SOI装置中的参数偏移敏感的剂量计电压。参考电路提供参考电压。放大器连接到剂量计和参考电路，并在静态偏置电路的输出处提供第二偏置，该第二偏置与剂量计电压和参考电压之间的差成比例。电压源产生第一偏置和第二偏置参考的驱动电压。反馈电路根据第一偏置和第二偏置来调节向剂量计FD‑SOI装置的阱的驱动电压的供应。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 初级 fd soi 装置 方法 以及 优化 电路 | ||
【主权项】：
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